| Наименование | Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике |
|
|
|
|
| Происхождение трудовой функции | Оригинал |
|
Заимствовано из оригинала |
|
|
|
| Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
| Трудовые действия | Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктуры Обоснование выбора машины для проведения эпитаксии Расчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоев Моделирование роста гетероструктур с применением TCAD Разработка технологической документации на изготовление гетероструктур |
| Необходимые умения | Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии |
| Необходимые знания | Технический английский язык Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур Методы эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в наноэлектронике СВЧ Работа с установками сверхвысокого вакуума |
| Другие характеристики | Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ |